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135章 第三代闪存技术（第1页）

在会议室里面，周晓东那是直接上手开始在白板上面开始画出了这种第三代TLC存储颗粒的内部架构电路图。

“为了提高闪存芯片的容量，我设计的这个闪存架构里面字线对应着三个读写单元，我们将电压分成八份，可以表示000001010011100101110111八种状态，最小的存储单元可以表示3个比特。”

在座的众多技术骨干都是技术经验丰富的芯片设计研发人员，在周晓东画出架构电路图后很快便明白了周晓东这种设计概念。

其实浮栅晶体管这种最基本的存储单元发展到现在结构和材料并没

《大国芯之重生九零》135章第三代闪存技术！

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